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關鍵技術
易操作式多功能選配附件
全自動樣品傳送停放
高性能大面積和微區(qū)XPS 分析
快速準確深度剖析
為電池、半導體、有機器件以及其他各領域提供多方面解決方案
簡單易操作
PHI X射線光電子能譜儀提供了一種全新的用戶體驗,儀器高性能、全自動化、簡單易操作。
操作界面可在同一個屏幕內設置常規(guī)和高級的多功能測試參數(shù),同時保留諸如進樣照片導航和SXI 二次電子影
像準確定位等功能。
簡單友好的用戶界面
PHI GENESIS 提供了一個簡單、直觀且易于操作的用戶界面,對于操作人員非常友好,操作人員執(zhí)行簡單的設置操作即可完成包括所有選配附件在內的自動化分析。
多功能選配附件
原位的多功能自動化分析,涵蓋了從LEIPS 測試導帶到HAXPES 芯能級激發(fā)的全范圍技術,相比于傳統(tǒng)的XPS 而言,PHI GENESIS 體現(xiàn)了*的性能價值。
優(yōu)良解決方案:
高性能XPS、UPS、LEIPS、REELS、AES、GCIB 及多種其他選配附件可以滿足所有表面分析需求。
多數(shù)量樣品大面積分析
把制備好樣品的樣品托放進進樣腔室后將自動傳送進分析腔室內
可同時使用三個樣品托
80mm×80mm 的大樣品托可放置多數(shù)量樣品
可分析粉末、粗糙表面、絕緣體、形狀復雜等各種各樣的樣品
可聚焦≤ 5μm 的微區(qū)X 射線束斑
在PHI GENESIS 中,聚焦掃描X 射線源可以激發(fā)二次電子影像(SXI),利用二次電子影像可以進行導航、準確定位、多點多區(qū)域同時分析測試以及深度剖析。
大幅提升的二次電子影像(SXI)
二次電子影像(SXI)準確定位,保證了所見即所得。*的5μmX 射線束斑為微區(qū)XPS分析應用提供了新的機遇。
PHI X射線光電子能譜儀快速深度剖析
PHI GENESIS 可實現(xiàn)高性能的深度剖析。聚焦X 射線源、高靈敏度探測器、高性能氬離子設備和高效雙束中和系統(tǒng)可實現(xiàn)全自動深度剖析,包括在同一個濺射刻蝕坑內進行多點同時分析。
高性能的深度剖析能力
( 下圖左) 全固態(tài)電池薄膜的深度剖析。深度剖面清晰地顯示了在2.0 μm 以下富Li 界面的存在。
( 下圖右) 在LiPON 膜沉積初期,可以看到氧從LiCoO2 層轉移到LiPON 層中,使Co 在LoCoO2 層富Li 界面由氧化態(tài)還原為金屬態(tài)。
角分辨XPS 分析
PHI GENESIS XPS 的高靈敏度微區(qū)分析和高度可重現(xiàn)的中和性能確保了對樣品角分辨分析的*性能。另外,樣品傾斜和樣品旋轉相結合,可同時實現(xiàn)角度的高分辨率和能量的高分辨率。
應用領域
主要應用于電池、半導體、光伏、新能源、有機器件、納米顆粒、催化劑、金屬材料、聚合物、陶瓷等固體材
料及器件領域。
用于全固態(tài)電池、半導體、光伏、催化劑等領域的先進功能材料都是復雜的多組分材料,其研發(fā)依賴于化學結
構到性能的不斷優(yōu)化。ULVAC-PHI,Inc. 提供的全新表面分析儀器“PHI GENESIS" 全自動多功能掃描聚焦X 射線
光電子能譜儀,具有*性能、高自動化和靈活的擴展能力,可以滿足客戶的所有分析需求。
PHI GENESIS 多功能分析平臺在各種研究領域的應用
電池 (AES + Transfer Vessel)
“LiPON/LiCoO2 橫截面的 pA-AES Li 化學成像"
Li 基材料例如LiPON,對電子束輻照敏感。
PHI GENESIS 提供的高靈敏度能量分析器可以在低束流(300pA)下快速獲取AES 化學成像。
有機器件 (UPS / LEIPS + GCIB)
使用UPS/LEIPS 和Ar-GCIB 測量能帶結構
(1)C60 薄膜表面
(2)C60 薄膜表面清潔后
(3)C60 薄膜/Au 界面
(4)Au 表面
通過UPS/LEIPS 分析和Ar-GCIB 深度剖析可以確定有機層的能級結構。
半導體 (XPS + HAXPES)
半導體器件通常由包含許多元素的復雜薄膜組成,它們的研發(fā)通常需要對界面處的化學態(tài)進行無損分析。為了從深層界面獲取信息,例如柵極氧化膜下的GaN,使用HAXPES 是非常有必要的。
微電子 (HAXPES)
微小焊錫點分析
HAXPES 分析數(shù)據(jù)顯示金屬態(tài)Sn 的含量高于XPS 分析數(shù)據(jù),這是由于Sn 球表面被氧化,隨著深度的加深,金屬態(tài)Sn的含量越高,正好符合HAXPES 分析深度比XPS 深的特點。
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